Чип 3D V-NAND от Samsung Electronics: первый в своем роде

Август 2015 года может стать знаковым не только для поклонников современных технологий, но и для всей индустрии цифровых устройств в целом. Именно на этот месяц запланирован анонс массового производства нового флэш-накопителя корпорацией Samsung. По скромным заверениям представителей промышленного гиганта, чип, который будет заложен в основу грядущих устройств, способен кардинально изменить правила игры во всем сегменте запоминающих устройств. Речь идет о беспрецедентном, первом в своем роде трехмерном (3D) V-NAND флеш-накопителе третьего поколения. Данный продукт имеет возможность хранить до 256 гигабайт данных, что, без сомнений, является достаточно радикальным шагом для производителя. Рассчитанный для последующего применения во все более популярных среди пользователей SSD-накопителях, девайс имеет 48 слоев трехбитных ячеек MLC. Однако, не только SSD-накопители Samsung смогут строиться на основе новой технологии. Представители компании уточняют, что V-NAND третьего поколения будет доступен для всего мирового рынка.

Непосредственные характеристики нового чипа, представленные на пресс-конференции, недвусмысленно дают понять, что корпорация Samsung запускает в производство принципиально новый продукт, аналогов которому ранее не наблюдалось. Помимо внушительных 256 гигабайт памяти, накопитель удваивает плотность хранения данных по сравнению с предшественниками второго поколения. Чипы V-NAND третьего поколения способны потреблять на 30% меньше энергии, чем их предшественники. Также возрос показатель производительности — примерно на 40%. Причем важным фактором является то, что при изготовлении данных чипов используются практически те же материалы, что и при производстве их предшественников. На основе этих фактов можно сделать вполне оправданный вывод, что существенным образом цена новых V-NAND накопителей не возрастет. Эти достаточно внушительные показатели стали достижимы благодаря фирменной технологии Samsung — 3D Charge Trap Flash (CTF). Данная технология основана на вертикальной конструкции ячеек матрицы, которые образуют 48 слоев. В сумме — более 85 миллиардов ячеек, которые способны хранить до 3 бит данных каждая. Именно это и позволяют вмещать те самые 256 гигабайт информации.

Производители заявляют, что основная целевая аудитория для внедрения чипов третьего поколения V-NAND — это SSD объемом от одного терабайта и выше. Помимо этого, основных потребителей новой продукции представители корпорации Samsung видят в промышленном сегменте, а также в накопителях с передовой технологией PCIe на основе NVMe и SAS-интерфейсов. По предварительной информации, серийный выпуск данных чипов планируется до конца 2015 года.