Показать: по популярности
Вид:
|
Модуль памяти для ноутбука Samsung SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz (M471B5173DBO-YKO)
| Код товара: 1763446 | |
|
|
|
Нет в наличии |
|
Производитель: Samsung
Модель: SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz
Артикул: M471B5173DBO-YKO
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 4GB
Количество модулей в наборе: 1
Стандарты памяти: PC3-12800
Частота памяти: 1600 МГц
Тайминги: CL11
Напряжение: 1.35V
Охлаждение: нет
Страна производства: Китай
Модель: SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz
Артикул: M471B5173DBO-YKO
Тип памяти: DDR3
Объем памяти: 4GB
Количество модулей в наборе: 1
Стандарты памяти: PC3-12800
Частота памяти: 1600 МГц
Тайминги: CL11
Напряжение: 1.35V
Охлаждение: нет
Страна производства: Китай
|
|
Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (M471B5173CB0-YK0)
| Код товара: 2410975 | |
|
|
|
|
Нет в наличии |
|
Производитель: SamsungНазначение: для ноутбуковОбъем, ГБ: 4Количество планок в комплекте: 1Тип: DDR3LСтандарт: PC3-12800Эффективная частота, МГц: 1600Штатные тайминги: CL11Рабочее напряжение, В: 1,35Радиаторы: нетПоддержка XMP: нетПроверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECCБуферизация: UnbufferedФорм...
|
|
Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (M471B5173DB0-YK0)
| Код товара: 2410976 | |
|
|
|
Нет в наличии |
|
Производитель: SamsungНазначение: для ноутбуковОбъем, ГБ: 4Количество планок в комплекте: 1Тип: DDR3LСтандарт: PC3-12800Эффективная частота, МГц: 1600Штатные тайминги: CL11Рабочее напряжение, В: 1,35Радиаторы: нетПоддержка XMP: нетПроверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECCБуферизация: UnbufferedФорм...
|
|
Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (M471B5173EB0-YK0)
| Код товара: 2410977 | |
|
|
|
|
Нет в наличии |
|
Производитель: SamsungНазначение: для ноутбуковОбъем, ГБ: 4Количество планок в комплекте: 1Тип: DDR3LСтандарт: PC3-12800Эффективная частота, МГц: 1600Штатные тайминги: CL11Рабочее напряжение, В: 1,35Радиаторы: нетПоддержка XMP: нетПроверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECCБуферизация: UnbufferedФорм...
|
|
Модуль памяти Samsung 8 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (M471B1G73EB0-YK0)
| Код товара: 2410978 | |
|
|
|
|
Нет в наличии |
|
Бренд: Samsung
Назначение: Память для ноутбуков
Объем, ГБ: 8
Количество планок в комплекте: 1
Тип: DDR3L
Эффективная частота, МГц: 1600
Штатные тайминги: CL11
Рабочее напряжение, В: 1,35
Проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC
Буферизация: Unbuffered
Назначение: Память для ноутбуков
Объем, ГБ: 8
Количество планок в комплекте: 1
Тип: DDR3L
Эффективная частота, МГц: 1600
Штатные тайминги: CL11
Рабочее напряжение, В: 1,35
Проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC
Буферизация: Unbuffered
|
|
Модуль памяти Samsung 8 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (M471B1G73QH0-YK0)
| Код товара: 2410979 | |
|
|
|
|
Нет в наличии |
|
Производитель: Samsung
Объем памяти: 8 ГБ
Тип памяти: SODIMM DDR3
Частота памяти: 1600 МГц
Буферизация: Небуферизированная
Напряжение питания: 1.35 В
Схема таймингов памяти: CL11
Количество планок: 1
Назначение: Для ноутбуков
Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет (non-ECC)
Объем памяти: 8 ГБ
Тип памяти: SODIMM DDR3
Частота памяти: 1600 МГц
Буферизация: Небуферизированная
Напряжение питания: 1.35 В
Схема таймингов памяти: CL11
Количество планок: 1
Назначение: Для ноутбуков
Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет (non-ECC)
|
|
Память Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (M471B5273CH0-YK0)
| Код товара: 2459545 | |
|
|
|
|
Нет в наличии |
|
Производитель: Samsung
Объем памяти: 4 ГБ
Тип памяти: SODIMM DDR3
Частота памяти: 1600 МГц
Буферизация: Небуферизированная (Unbuffered)
Класс: Обычная
Напряжение питания: 1.35 В
Схема таймингов памяти: CL11
Назначение: Для ноутбуков
Объем памяти: 4 ГБ
Тип памяти: SODIMM DDR3
Частота памяти: 1600 МГц
Буферизация: Небуферизированная (Unbuffered)
Класс: Обычная
Напряжение питания: 1.35 В
Схема таймингов памяти: CL11
Назначение: Для ноутбуков
|
|
Память Samsung 8 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (M471B1G73DB0-YK0)
| Код товара: 2459547 | |
|
|
|
|
Нет в наличии |
|
Производитель: Samsung
Объем памяти: 8 ГБ
Тип памяти: SODIMM DDR3
Частота памяти: 1600 МГц
Буферизация: Небуферизированная (Unbuffered)
Напряжение питания: 1.35 В
Схема таймингов памяти: CL11
Количество планок: 1
Назначение: Для ноутбуков
Объем памяти: 8 ГБ
Тип памяти: SODIMM DDR3
Частота памяти: 1600 МГц
Буферизация: Небуферизированная (Unbuffered)
Напряжение питания: 1.35 В
Схема таймингов памяти: CL11
Количество планок: 1
Назначение: Для ноутбуков
